設(shè)備由TCR 和FC 兩部分組成，F(xiàn)C 向系統(tǒng)提供固定的容性無功并濾除高壓母線上的各次諧波；TCR 為晶閘管串聯(lián)電抗器裝置，由控制系統(tǒng)實時跟蹤負(fù)荷變化來改變晶閘管觸發(fā)角，從而向系統(tǒng)提供實時可變的感性無功。容性無功和感性無功的相位相反，二者相加將改變無功變化量，從而達(dá)到抑制電壓波動、提高功率因數(shù)等作用。FC 是直掛于高壓母線下多組固定不變的濾波器，其濾波阻抗曲線固定不變，能將負(fù)荷變化過程產(chǎn)生變化的諧波有效濾除，達(dá)到國標(biāo)要求；TCR 快速跟蹤負(fù)荷變化（響應(yīng)時間小于10ms）。TCR–SVC 的特點表現(xiàn)在以下幾方面：
　　響應(yīng)速度快，響應(yīng)時間小于10ms，且為平滑調(diào)節(jié)，足以滿足負(fù)荷動態(tài)無功補償快速、精確的要求。
　　TCR+FC 型SVC 設(shè)備，通過FC 部分設(shè)置與電網(wǎng)特征諧波相同的濾波器對諧波進(jìn)行濾除。
　　將不對稱的電流進(jìn)行分解，可以得到正序和負(fù)序電流，其中負(fù)序電流將使電力系統(tǒng)中以負(fù)序電流為起動元件的許多保護(hù)及自動裝置產(chǎn)生誤動作。由于負(fù)序及正序的相序相反，注入旋轉(zhuǎn)電機(jī)后產(chǎn)生附加電動力，引起振動及附加損耗。SVC 設(shè)備采用STEINMETZ 理論，可以有效地治理三相不平衡問題，減小不平衡度。當(dāng)不平衡負(fù)荷中每相間負(fù)荷既有有功Pab、Pbc、Pca，又有無功Qab、Qbc、Qca 時，相間無功可用角接補償網(wǎng)絡(luò)來補償，不平衡有功可以用另外兩個相間電納來平衡。補償后的電路中，電流是完全平衡的，且功率因數(shù)為1。
　　SVC 設(shè)備直接安裝在高壓側(cè)，工作電流小。經(jīng)統(tǒng)計，TCR型SVC 設(shè)備的平均損耗為設(shè)備補償容量的0.2%–0.3%。
　　TCR+FC 型SVC 通過調(diào)節(jié)晶閘管的觸發(fā)角來改變TCR 的無功輸出， TCR 觸發(fā)精度可以小于0.1 電角度，可以得到線性平滑的無功輸出。
　　TCR–SVC 電感平衡部分的結(jié)構(gòu)一般是由可控硅、平衡電抗器、控制設(shè)備及相應(yīng)的輔助設(shè)備組成，晶閘管要長期運行在高電壓和大電流工況下，容易被擊穿。晶閘管發(fā)熱量大，一般情況采用純水冷卻，除了要有一套水處理裝置可靠的水源而外，還需配有監(jiān)護(hù)維修人員。由于調(diào)整主電抗電感量只能靠控制可控硅器件的導(dǎo)通角，關(guān)閉則需靠交流電的過零特性，所以必然會產(chǎn)生不同程度的諧波電壓污染電網(wǎng)。需要較大的設(shè)備安裝和運行工作位置，即占地面積很大。
　　（2） TSC–SVC 裝置
　　實際上，由斷路器（電磁型交流接觸器）操作的電容器和電抗器在電網(wǎng)中正在大量使用，可以說這種補償技術(shù)是靜態(tài)的，因為它不能及時響應(yīng)無功功率的波動。這種裝置以電磁型交流接觸器為投切開關(guān)，由于受電容器承受涌流能力、放電時間及電容器分級以及接觸器操作頻率、使用壽命等因素制約，因而無法避免以下不足：
　　補償是有級的、定時的，因而補償精度差，跟隨性不強(qiáng)，不能適應(yīng)負(fù)荷變化快的場合；受交流接觸器操作頻率及壽命的限制，靜態(tài)補償裝置一般均設(shè)有投切延時功能，其延時時間一般為30s。對一般穩(wěn)定負(fù)荷，即負(fù)荷變化周期大于30s 的負(fù)荷，這類補償裝置是有效的，但對一些變化較快的負(fù)荷，如電梯、起重、電焊等，這類補償裝置就無法進(jìn)行跟蹤補償。
　　不能做到無涌流投入電容器，對于接觸器加電抗器方案，增加損耗較大，對于容性接觸器方案，事故率較大，對金屬化電容器的使用壽命影響很大；目前，低壓電力電容器以金屬化自愈式電容器為主，這種電容器的引線噴金屬端面對涌流承受能力有限，因此，涌流的大小及次數(shù)是影響電容器使用壽命的主要因素。
　　運行噪聲較大。 由于控制部分的負(fù)載是接觸器的線圈，在投切過程中，造成火花干擾，影響補償裝置的可靠性和使用壽命。
　　針對上述問題，基于智能控制策略的TSC 補償裝置正在引起關(guān)注。事實上，如果能夠進(jìn)行動態(tài)無功功率補償則能夠克服以上不足。
　　（3） MCR–SVC 裝置
　　MCR–SVC 裝置的技術(shù)優(yōu)勢有這樣幾點：
　　• 磁控電抗器不需要外接直流勵磁電源，完全由電抗器的內(nèi)部繞組來實現(xiàn)自動控制；
　　• 通過控制可控硅的控制角進(jìn)行自動控制，可實現(xiàn)連續(xù)可調(diào)，并且從最小容量到最大容量的過渡時間很短，因此可以真正實現(xiàn)柔性補償；
　　• 控制元件為低壓晶閘管，其端電壓僅為系統(tǒng)電壓的1％ –2％，無需傳并聯(lián)，運行時不需要承受高電壓、大電流，安全可靠，發(fā)熱量很小，自然冷卻即可，無需輔助冷卻設(shè)備；
　　• 可控硅動作，整流控制產(chǎn)生的諧波不流入外交流系統(tǒng)。
　　即使可控硅或二極管損壞，磁控電抗器也僅相當(dāng)于一臺空載變壓器，不影響系統(tǒng)其他裝置的運行；